台厂接招!三星电子豪掷 150 亿美元盖晶片新厂

台厂接招!三星电子豪掷 150 亿美元盖晶片新厂

三星电子(Samsung Electronics Co.)6 日举行南韩平泽(Pyeongtaek)Godeok 工业园区新半导体厂建厂备忘录(MOU)签约仪式。三星表示,京畿道省以及相关市政府代表同意提供必要的基础设施并就新厂的建设、营运相关事宜与三星密切合作。

三星电子执行长兼副董事长权五铉(Kwon Oh-hyun)在出席 MOU 签约仪式时表示,三星衷心感谢京畿道、平泽市的全力支持。耗资 15.6 兆韩圜、建筑面积达 79 万平方米的平泽厂将在 2015 年上半年动工、预计 2017 年下半年即可开始营运。

彭博社报导,平泽厂将生产记忆体、处理器晶片,总投资金额相当于 150 亿美元。三星电子预计在 7 日公布 2014 年第 3 季初估财报。

Thomson Reuters 6 日报导,三星表示,平泽厂预估将使公司整体晶片产能增加 10-12%。42 位分析师普遍预期三星电子 2014 年第 3 季营益将达 5.6 兆韩圜、创 2011 年第 4 季以来新低。

韩联社报导,平泽位于首尔南方约 70 公里处,与器兴(Giheung)、华城(Hwaseong)同样位于京畿道。三星电子表示,平泽厂一旦完工,全球最尖端的半导体集群也将就此诞生。三星 2013 年半导体投资金额达 12.6 兆韩圜。除了南韩厂以外,三星在美国德州以及中国也拥有半导体厂。

根据 IHS Technology 8 月公布的统计数据,三星电子第 2 季系统半导体销售额季减 9.6% 至 23 亿美元、市佔率下滑 0.7 个百分点至 3.9%。另一方面,英特尔(Intel Corp.)销售额季增 8.8% 至 118 亿美元、市佔率扩增至 20%。高通(Qualcomm Inc.)销售额季增 16.8%、市佔率上扬 0.7 个百分点至 8.3%。德州仪器销售额季增 10.6%、市佔率达 5%。权五铉 4 月曾对员工表示,三星必须在系统 LSI 领域(特别是高阶应用处理器)多加把劲,如此才能在客户面前建立起半导体领导厂商的形象。

三星电子 5 月 9 日宣布,中国西安记忆体晶片製造厂正式启用、旗下先进 NAND 型快闪记忆体「3D V-NAND」将在该厂投产。

以色列财政经济部 9 月 22 日批准英特尔(Intel Corp.)今年 5 月所提出的 60 亿美元晶圆厂技术升级投资案。报导指出,英特尔将在未来 5 年内取得 3 亿美元的政府补助并且在 10 年内享有 5% 的企业优惠税率。英特尔位于以色列南部 Kiryat Gat 的晶圆厂目前已僱用 2,500 人、预估到 2023 年将再增聘将近 1 千人。

三星电子今年迄今股价跌幅超过 16%,截至台北时间 6 日上午 10 时 10 分为止上涨 0.26%、报 1,144,000 韩圜;开盘迄今最低点(1,138,000 韩圜)创 2012 年 7 月 18 日以来新低。

国际半导体设备材料协会(SEMI)9 月 18 日公布,2014 年 8 月北美半导体设备製造商接单出货比(Book-to-Bill ratio)初估为 1.04、连续第 11 个月维持在 1 或更高水準,创 2009 年 7 月至 2010 年 9 月(连续 15 个月)以来最长连续纪录。

(MoneyDJ新闻 记者 赖宏昌 报导)